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Capacidad: 500 GB. ​

Factor de forma: M.2 2280 (22 mm x 80 mm x 2.3 mm).

Interfaz: PCIe 4.0 x4 NVMe. ​

Velocidad secuencial de lectura: hasta 5,000 MB/s. ​

Velocidad secuencial de escritura: hasta 3,000 MB/s. ​

Tipo de memoria NAND: 3D NAND. ​

Resistencia (Total de Bytes Escritos, TBW): 160 TB. ​

Temperatura de funcionamiento: 0°C a 70°C. ​

Temperatura de almacenamiento: -40°C a 85°C. ​

Peso: 7 g. ​

MTBF (Tiempo Medio Entre Fallos): 2,000,000 horas.

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Tipo de memoria NAND: 3D NAND. ​

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