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Especificaciones Generales:

Factor de forma: M.2 2280.
Interfaz: PCIe 3.0 NVMe.
Tipo de memoria: 3D NAND.
MTBF (Tiempo medio entre fallos): 1.500.000 horas.
Temperatura de operación: 0°C a 70°C.
Temperatura de almacenamiento: -40°C a 85°C
Velocidad de lectura secuencial: Hasta 2.500 MB/s.
Velocidad de escritura secuencial: Hasta 1.025 MB/s.
IOPS de lectura aleatoria 4K: 55K.
IOPS de escritura aleatoria 4K: 225K.
Consumo máximo de energía: 2,2 W.
TBW: 120 TB

Hiksemi Wave M.2 512GB PCIe 3.0

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Factor de forma: M.2 2280.
Interfaz: PCIe 3.0 NVMe.
Tipo de memoria: 3D NAND.
MTBF (Tiempo medio entre fallos): 1.500.000 horas.
Temperatura de operación: 0°C a 70°C.
Temperatura de almacenamiento: -40°C a 85°C
Velocidad de lectura secuencial: Hasta 2.500 MB/s.
Velocidad de escritura secuencial: Hasta 1.025 MB/s.
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