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Formato / Factor de forma: M.2 2280 (22 × 80 mm), único lado de chips

Capacidad: 512 GB

Interfaz: PCIe Gen 4 ×4 con protocolo NVMe 1.4

Lectura secuencial máxima: hasta 7 100 MB/s

Escritura secuencial máxima: aprox. 3 100–3 111 MB/s

IOPS 4K (aleatorios): lectura ~583 000 IOPS; escritura ~525 000 IOPS

Tipo de NAND: 3D NAND (TLC o QLC, según versión)

Controlador: Maxio MAP1602A (alto rendimiento, HMB sin DRAM en algunos modelos)

Consumo máximo: ~3.1 W durante transferencia intensiva

Durabilidad (TBW): ~375 TBW para el modelo de 512 GB

MTBF (Media de fallos): ~2 000 000 horas

Temperatura operativa: entre 0 °C y 70 °C

Temperatura de almacenamiento: –40 °C a +85 °C

Peso: ≤ 7 g

Hiksemi M.2 512Gb Future Lite PCIE 4.0 7100mb/s

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